4 pouce SIO2 dioxyde de silicium plaquette/Résistivité 0.01-0.02 ohms * cm/Modèle = Double d'oxygène


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spécifications du produit: 1 matériel: haute pureté de silicium 2 taille: 4 pouces 3 diamètre et la tolérance: 100 ± 0.4mm 4 épaisseur: 500um 5 oxyde épaisseur: 50nm 6 Modèle: P 7 spécifications: Double d'oxygène 8: résistivité 0.001-0.005 Omega/cm 9 cristal direction: 10 polissage: dioxyde de silicium 11 principales applications: PVD/CVD revêtement, magnétron pulvérisation, XRD, SEM, échantillon à force atomique croissance, la spectroscopie infrarouge, spectroscopie de fluorescence, substrat, substrat, moléculaire faisceau la croissance épitaxiale de cristal semi-conducteur analyze Aux Rayons X.


  • Taille: Silicon wafer thickness 500um/ Oxide thickness 50nm
  • Numéro du modèle: Crystal orientation 100/ Model P
  • Standard: Gb
  • Standard ou non standard: Standard
  • Matériel: Monocrystalline silicon

  • Type d'unité : pièce
  • Poids du colis : 1.0kg (2.20lb.)
  • Dimensions du colis : 15cm x 15cm x 15cm (5.91in x 5.91in x 5.91in)

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